TechnologySide

Расчет надежности схемы

где - L - интенсивность отказов всей схемы.

ln - интенсивность отказов элементов схемы.

N - количество элементов схемы.

L=l1·N1+l2·N2+l3·N3+l4·N4+l5·N5+l6·N6+l7·N7+l8·N8+l9·N9+l10·N10+l11·N11+l12··N12+l13·N13+l14·N14+l15·N15=0,6·10-6·2+2,5·10-6·1+0,44·10-6·9+0,02·10-6·178+ +2,5·10-6·2+0,3·10-6·7+0,04·10-6·30+0,0001·10-6·193+1·10-6·178+4·10-6·3+ +0,0005·10-8·1+2·10-6·1+0,005·10-6·68+2,5·10-6·2+1,1·10-6·14=1,2+2,5+3,96+3,56+5+ +2,1+1,2+0,0193+178+12+0,000005+2+0,34+5+15,4=232,279305·10-6 1/ч.

где l1 - интенсивность отказов германиевых транзисторов

N1 - количество германиевых транзисторов

l2 - интенсивность отказов интегральных микросхем

N2 - количество интегральных микросхем

l3 - интенсивность отказов керамических монолитных конденсаторов

N3 - количество керамических монолитных конденсаторов

l4 - интенсивность отказов контактных площадок

N4 - количество контактных площадок

l5 - интенсивность отказов кремниевых диодов

N5 - количество кремниевых диодов

l6 - интенсивность отказов кремниевых транзисторов

N6 - количество кремниевых транзисторов

l7 - интенсивность отказов металлодиэлектрических резисторов

N7 - количество металлодиэлектрических резисторов

l8 - интенсивность отказов отверстий

N8 - количество отверстий

l9 - интенсивность отказов пайки

N9 - количество пайки

l10 - интенсивность отказов переменных пленочных резисторов

N10 - количество переменных пленочных резисторов

l11 - интенсивность отказов печатной платы

N11 - количество печатной платы

l12 - интенсивность отказов пленочных подстроечных резисторов

N12 - количество пленочных подстроечных резисторов

l13 - интенсивность отказов проводников

N13 - количество проводников

l14 - интенсивность отказов разъемов

N14 - количество разъемов

l15 - интенсивность отказов электролитических конденсаторов

N15 - количество электролитических конденсаторов

Найдем среднюю наработку до первого отказа по формуле:

где Тср - средняя наработка до первого отказа.

Далее найдем вероятность безотказной работы:

где Р( t ) - вероятность безотказной работы

tср - среднее время нормальной работы изделия

Заключение

В последнее время научно-исследовательские и производственные предприятия радиотехнической и электронной промышленности передовых стран мира тратят много сил и средств на отыскание путей уменьшения габаритов и массы радиоэлектронной аппаратуры. Работы эти получают поддержку потому, что развитие многих отраслей науки и техники, таких как космонавтика, вычислительная техника, кибернетика, бионика и другие, требуют исключительно сложного электронного оборудования. К этому оборудованию предъявляются высокие требования, поэтому аппаратура становится такой сложной и громоздкой, что требования высокой надежности и значительного уменьшения габаритов и массы приобретают важнейшее значение. Особенно эти требования предъявляются ракетной технике. Известно, что для подъема каждого килограмма массы аппаратуры космического корабля необходимо увеличить стартовую массу ракеты на несколько сотен килограммов. Чтобы удовлетворить эти требования, необходимо миниатюризировать аппаратуру. Это достигается несколькими методами конструирования радиоэлектронной аппаратуры.

При микромодульном методе конструирования повышение плотности монтажа достигается за счет применения специальных миниатюрных деталей и плотного их монтажа в микромодуле. Благодаря стандартным размерам микромодули размещаются в аппаратуре с минимальными промежутками.

Немного больше о технологиях >>>

Оборудование и технология эхо-импульсного метода ультразвуковой дефектоскопии
Двадцать первый век - век атома, покорения космоса, радиоэлектроники и ультразвука. Наука об ультразвуке сравнительно молодая. Первые лабораторные работы по исследованию ультразвука были проведены великим русским ученым-физиком П. Н. Лебедевым в конце XIX, а затем ультразвуком ...

Ошибка Лоренца
В физике часто используются очевидные положения, которые представляются достаточно ясными и не требуют последующего обоснования. Это не всегда оправдано, поскольку есть случаи, приводящие к парадоксальным следствиям. Тогда приходится возвращаться к анализу «очевидных положений» ...