Многообразие проявлений причинно-следственных связей в материальном мире обусловило существование нескольких моделей причинно-следственных отношений. Исторически сложилось так, что любая модель этих отношений может быть сведена к одному из двух основных типов моделей или их сочетанию.

Негатроника. Исторический обзор

Другим направлением негатроники, направленным на преодоление недостатков однокристальных полупроводниковых негатронов, является создание аналогов негатронов на базе различных схемотехнических комбинаций активных приборов. Видимо, одной из первых работ в этом направлении следует считать монографию С.А.Гаряинова и И.Д.Абергауза [19], опубликованную в 1966г. Дальнейшее развитие это направление получило в широко известных работах Х.Стедлера [28], Л.Н.Степановой с соавторами [29], О.Н.Негоденко [30], Нильсона и Уильсона и др. Развитая в работах этих авторов теория синтеза аналогов статических негатронов N- и S-типа позволила создать большое количество различных схемотехнических решений для широкого класса как аналоговых, так и ключевых электронных устройств различного функционального назначения. Их можно разделить на три группы. В первой группе объединяются транзисторные аналоги, состоящие из транзисторов одной структуры. Вторую группу составляют аналоги, выполненные на транзисторах разной структуры, но не составляющих эквивалент p-n-p-n-структуры. Третья группа состоит из транзисторных эквивалентов p-n-p-n-структуры. Использование в таких схемах перекрестных связей ограничивает их применение частотами до 1ГГц.

Приведенный выше исторический экскурс далеко не всеобъемлемо охватывает пути развития негатроники и роль ученых разных стран в ее развитии.

В заключении нельзя не обратить внимание читателя на ряд фундаментальных обобщающих работ в области негатроники.

Прежде всего это монография С.А.Гаряинова и И.Д.Абергауза «Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением» (М.: Энергия, 1974) в которой сформулирован ряд основополагающих положений, касающийся статических R-негатронов. Основы теории вакуумных негатронов обобщены И.В.Лебедевым в книге «Техника и приборы СВЧ» (т.2., М.: Высшая школа, 1972). Теория и применение лавинных транзисторов детально рассмотрены в монографии В.П.Дьяконова «Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах» (М.: Советское радио, 1975). В работе «Отрицательные сопротивления в электронных схемах» (М.: Сов. радио, 1973) Ф.Бенингом анализируются обобщенные свойства не только R-, но и L-, C-негатронов и их схемотехническая реализация. Физика работы и вопросы применения полупроводниковых статических и динамических R-негатронов рассматриваются в монографии «Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ», (М.: Мир, 1979) под редакцией М.Хауэса и Д.Моргана. В монографии А.С.Тагера и В.М.Вальд-Перлова «Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ» (М.: Советское радио, 1968), дается детальный анализ физики работы ЛПД и СВЧ устройств на их основе. Вопросы практического использования статических R-негатронов в информационных устройствах обобщены В.И.Стафеевым, К.Ф.Комаровских и Г.И.Фурсиным в монографии «Нейристорные и другие функциональные схемы с объемной связью» (М.: Радио и связь, 1981). Общая теория динамических транзисторных негатронов и активных СВЧ фильтров на их основе рассмотрена в монографии Н.А.Филинюка «Активные СВЧ фильтры на транзисторах» (М.: Радио и связь, 1987). Широкому кругу вопросов теории анализа и синтеза негатронов и их схемотехнических аналогов посвящена монография коллектива авторов из России, Украины и Азербайджана «Негатроника» (под ред. Л.Н.Степановой, Новосибирск: Наука, 1995). В монографиях Н.А.Филинюка «Аналіз і синтез інформаційних пристроїв на базі потенційно-нестійких узагальнених перетворювачів імітанса» (Вінниця, ВДТУ, 1998) и «Физико-технические и схемотехнические особенности проектирования кремниевых микроэлектронных преобразователей на основе негатронов» (Баку, ЭЛМ, 1999), авторов Ф.Д.Касимова, Ф.Г.Агаева и Н.А.Филинюка, обобщены результаты теоретических исследований кристаллических и полупроводниковых негатронов и электронных устройств на их основе.

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6

Немного больше о технологиях >>>

Оптимизация структуры стохастического графа c переменной интенсивностью выполнения работ
Задача распределения ресурсов (нескладируемого типа) на cтохастических сетях (параллельные проекты) сформулирована как обусловленная переменной структурой графа. Предложенный метод решения обеспечивает получение экстремального графа для случая, когда каждая работа многопроектно ...

Судьба термоядерного синтеза
Идея создания термоядерного реактора зародилась в 1950-х годах. Тогда от нее было решено отказаться, поскольку ученые были не в состоянии решить множество технических проблем. Прошло несколько десятилетий прежде, чем ученым удалось «заставить» реактор произвести хоть сколько-ни ...

Галерея

Tехнологии прошлого

Раскрытие содержания и конкретизация понятий должны опираться на ту или иную конкретную модель взаимной связи понятий. Модель, объективно отражая определенную сторону связи, имеет границы применимости, за пределами которых ее использование ведет к ложным выводам, но в границах своей применимости она должна обладать не только образностью.

Tехнологии будущего

В связи с развитием теплотехники ученые в прошлом веке пришли к простому, но удивительному закону, потрясшему человечество. Это закон (иногда его называют принцип) возрастания энтропии (хаоса) во Вселенной. technologyside@gmail.com
+7 648 434-5512