О природе высокотемпературной сверхпроводимости
Безусловно, интересно теоретически изучать те параметры, которые могут быть экспериментально измерены. Для рассматриваемых систем это равновесные и неравновесные транспортные характеристики, а также плотность состояний в образце. Среди транспортных характеристик надо выделить джозефсоновский ток, для которого обычно рассчитывают зависимости критического тока от температуры и/или магнитного поля, приложенного к системе. Пример неравновесной транспортной характеристики различных контактов с анизотропными сверхпроводниками - кондактанс. Форма кондактанса и различные особенности на его низкоэнергетической части также связаны с параметрами спектров связанных состояний, которые, в свою очередь, различны для различных типов спаривания. Большое влияние на проводимость контактов оказывает зависимость прозрачности барьера от направления импульса, скоррелированная с зависимостью от направления импульса спектров связанных состояний. Интересно посмотреть, как влияет внешнее магнитное поле на все изучаемые характеристики, тем более что внешнее магнитное поле - один из самых удобных "инструментов" для воздействия на систему. Все это и стало предметом моих научных исследований. Производство выставочных стендов: информационные стенды.
За последние три года мне удалось изучить критический джозефсоновский ток в уголковых SND (обычный сверхпроводник-нормальный металл-высокотемпературный сверхпроводник) контактах в магнитном поле, а также спектры андреевских связанных состояний и джозефсоновских токов в симметричных туннельных контактах с киральными сверхпроводниками. В результате удалось предсказать появление логарифмической аномалии в низкотемпературной части зависимости критического джозефсоновского тока от температуры. Удалось также выяснить, что положение пиков в кондактансе туннельных SIN (сверхпроводник-туннельный барьер-нормальный металл) и SIS (сверхпроводник-туннельный барьер-сверхпроводник) контактов связано с особенностями спектров связанных состояний, и предсказать, что на эту связь сильно влияет форма зависимости прозрачности туннельного барьера от направления импульса падающих квазичастиц. Еще один важный результат - обнаружение нетривиальности идентификации андреевских связанных состояний в узких проволочках сверхпроводников и сильного эффекта четности в зависимости от поперечной ширины проволочки.
Немного больше о технологиях >>>
Технологические основы электроники
1. Изобразить и описать последовательность формирования
изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией
Рис. 1. Последовательность формирования изолированных
областей в структуре с диэлектрической изоляцией:
а — исходная пластина; б — избирательно ...
О вращении электрона
Как
известно [1], основанием для введения в физику квантовых постулатов в начале XX
века послужило абсолютное несоответствие результатов ряда фундаментальных
экспериментальных открытий в области микромира устоявшимся воззрениям на
предполагаемые свойства объектов микромира. А и ...
